DPAK N-CH 80V 45A
N-Channel 80V 45A Tc 79W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 45A DPAK-2 OptiMOS 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
80V, 45A, 0.135 ohms, TO-252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 11.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 79 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 45A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1730pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD135N08N3GBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD135N08N3G 英飞凌 | 类似代替 | IPD135N08N3GBTMA1和IPD135N08N3G的区别 |
IPD16CNE8NG 英飞凌 | 功能相似 | IPD135N08N3GBTMA1和IPD16CNE8NG的区别 |
IPD12CNE8NG 英飞凌 | 功能相似 | IPD135N08N3GBTMA1和IPD12CNE8NG的区别 |