IPI076N12N3GAKSA1概述
TO-262 N-CH 120V 100A
通孔 N 通道 120 V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
IPI076N12N3GAKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 168 W
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 6640pF @60VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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