DPAK N-CH 700V 2.8A
表面贴装型 N 通道 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
额定功率 28.4 W
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 28.4 W
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 2.8A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 262pF @100VVds
下降时间 18.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28.4W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD65R1K4CFDBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R950C6ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R1K4CFDBTMA1和IPD60R950C6ATMA1的区别 |
IPD65R1K4CFDATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R1K4CFDBTMA1和IPD65R1K4CFDATMA1的区别 |