INFINEON IPA60R190E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190E6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP / N-Channel 600 V 20.2A Tc 34W Tc Through Hole PG-TO220-FP
额定功率 34 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free