IPA60R190E6XKSA1

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IPA60R190E6XKSA1概述

INFINEON  IPA60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190E6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP / N-Channel 600 V 20.2A Tc 34W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA60R190E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 34 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPA60R190E6XKSA1
型号: IPA60R190E6XKSA1
描述:INFINEON  IPA60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

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