晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
IPU60R2K1CE, SP001276064
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 6000V 2.3A IPAK-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 3-Pin TO-251 Tube
富昌:
N-沟道 600 V 2.3 A 2100 mΩ 6.7 nC CoolMOS CE 功率 晶体管 - IPAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 22W; PG-TO251
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
额定功率 22 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 22W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU60R2K1CEAKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU60R2K1CEBKMA1和IPU60R2K1CEAKMA1的区别 |