DPAK N-CH 800V 3.1A
表面贴装型 N 通道 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-沟道 600 V 3.1 A 1500 mΩ 9.4 nC CoolMOS CE 功率 晶体管 - DPAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 28W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定功率 28 W
极性 N-CH
耗散功率 49 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 200pF @100VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 28W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD60R1K5CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R1K5CEAUMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R1K5CEATMA1和IPD60R1K5CEAUMA1的区别 |