IPD60R1K5CEATMA1

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IPD60R1K5CEATMA1概述

DPAK N-CH 800V 3.1A

表面贴装型 N 通道 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-沟道 600 V 3.1 A 1500 mΩ 9.4 nC CoolMOS CE 功率 晶体管 - DPAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 28W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD60R1K5CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

极性 N-CH

耗散功率 49 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 200pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R1K5CEATMA1
型号: IPD60R1K5CEATMA1
描述:DPAK N-CH 800V 3.1A
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