Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R650CEATMA1, 6.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R650CEATMA1, 6.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.1A; 47W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 6.1 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V
额定功率 47 W
通道数 1
漏源极电阻 0.59 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 47 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 342pF @100VVds
额定功率Max 47 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Lighting, Lighting, Consumer Electronics, Power Management
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50R650CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R380C6 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R650CEATMA1和IPD60R380C6的区别 |
IPD50R650CE 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R650CEATMA1和IPD50R650CE的区别 |