INFINEON IPP057N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3GXKSA1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 80V 80A
得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
e络盟:
INFINEON IPP057N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
额定功率 150 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 4.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 4750pF @40VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP070N08N3 G 英飞凌 | 类似代替 | IPP057N08N3GXKSA1和IPP070N08N3 G的区别 |
FDP060AN08A0 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPP057N08N3GXKSA1和FDP060AN08A0的区别 |
IPP054NE8NGHKSA2 英飞凌 | 功能相似 | IPP057N08N3GXKSA1和IPP054NE8NGHKSA2的区别 |