IPP057N08N3GXKSA1

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IPP057N08N3GXKSA1概述

INFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3GXKSA1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 80V 80A


得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3


e络盟:
INFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3


IPP057N08N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 150 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 4.9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 66 ns

输入电容Ciss 4750pF @40VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP057N08N3GXKSA1
型号: IPP057N08N3GXKSA1
描述:INFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V
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