晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 3
漏源极电阻 0.0106 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Valves control, Single-ended motors, Solenoids control
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N06S2L-13 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N06S2L13ATMA4和IPD30N06S2L-13的区别 |