IPD30N06S2L13ATMA4

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IPD30N06S2L13ATMA4概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

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N-channel Logic Level - Enhancement mode
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Automotive AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package lead free
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Ultra low Rdson
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD30N06S2L13ATMA4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0106 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

额定功率Max 136 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Valves control, Single-ended motors, Solenoids control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD30N06S2L13ATMA4
型号: IPD30N06S2L13ATMA4
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V
替代型号IPD30N06S2L13ATMA4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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