Direct-FET N-CH 25V 19A
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- 100% Rg tested
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- Low Profile less than 0.7 mm
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- Dual Sided Cooling
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- Optimized for Control FET Applications
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- Optimized for High Frequency Switching
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- Low Package Inductance
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1810pF @13VVds
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MultiPhase ControlFET
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6711STRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6711STR1PBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF6711STRPBF和IRF6711STR1PBF的区别 |
IRF7665S2TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6711STRPBF和IRF7665S2TRPBF的区别 |
AUIRF7665S2TR 英飞凌 | 类似代替 | IRF6711STRPBF和AUIRF7665S2TR的区别 |