INFINEON IRLML2060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 60 V, 0.356 ohm, 10 V, 2.5 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
N沟道 60V 1.2A
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2A, SOT-23, 整卷
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
IRLML2060TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 1.2 A; 60 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON IRLML2060TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 60 V, 0.356 ohm, 10 V, 2.5 V
儒卓力:
**MOSFET 60V 1.2A **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
额定功率 1.25 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.356 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 64pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.2A
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 64pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, DC Switches, 工业, Load Switch, Load Switch High Side, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLML2060TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |