Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 15A D2PAK-2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IPB90R340C3ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 208000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes coolmos technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 208W; PG-TO263-3
额定功率 208 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 208 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2400pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB90R340C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB90R340C3ATMA2 英飞凌 | 功能相似 | IPB90R340C3ATMA1和IPB90R340C3ATMA2的区别 |