IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1图片1
IPB90R340C3ATMA1图片2
IPB90R340C3ATMA1图片3
IPB90R340C3ATMA1图片4
IPB90R340C3ATMA1图片5
IPB90R340C3ATMA1图片6
IPB90R340C3ATMA1图片7
IPB90R340C3ATMA1概述

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 15A D2PAK-2


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IPB90R340C3ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 208000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes coolmos technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 208W; PG-TO263-3


IPB90R340C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 208 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 208 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2400pF @100VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB90R340C3ATMA1
型号: IPB90R340C3ATMA1
描述:Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
替代型号IPB90R340C3ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB90R340C3ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB90R340C3ATMA2

英飞凌

功能相似

IPB90R340C3ATMA1和IPB90R340C3ATMA2的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台