晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 650 V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
得捷:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 3.1A IPAK-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.1A 3-Pin TO-251 Tube
富昌:
650V, 8.3A, 15OHM, IPAK SHORT LEADS
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
额定功率 28 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 28 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 5.9 ns
输入电容Ciss 225pF @100VVds
下降时间 18.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 28W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPS65R1K5CEAKMA1和IPS70R1K4P7SAKMA1的区别 |