IPS65R1K5CEAKMA1

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IPS65R1K5CEAKMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 650 V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 3.1A IPAK-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.1A 3-Pin TO-251 Tube


富昌:
650V, 8.3A, 15OHM, IPAK SHORT LEADS


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


IPS65R1K5CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 225pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPS65R1K5CEAKMA1
型号: IPS65R1K5CEAKMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
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