IPW50R299CPFKSA1概述
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CPFKSA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CPFKSA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
IPW50R299CPFKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 104W Tc
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.03 mm
宽度 5.16 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPW50R299CPFKSA1
型号： IPW50R299CPFKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CPFKSA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装