Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L07AKSA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L07AKSA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
得捷:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
极性 P-CH
耗散功率 88W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 5700pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 88W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, Bridge configuration could be realized with 30V P-Channels high side device with no need of charge pump
RoHS标准
含铅标准 无铅