晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.204 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 10A(Tc) 67W(Tc) PG-VSON-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
立创商城:
N沟道 650V 10A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 10A 4-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
额定功率 67 W
针脚数 5
漏源极电阻 0.204 Ω
极性 N-CH
耗散功率 67 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 996pF @400VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 67W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PG-VSON-4
封装 PG-VSON-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅