IPL65R230C7AUMA1

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IPL65R230C7AUMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.204 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 650 V 10A(Tc) 67W(Tc) PG-VSON-4


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON


立创商城:
N沟道 650V 10A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 10A 4-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4


IPL65R230C7AUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 67 W

针脚数 5

漏源极电阻 0.204 Ω

极性 N-CH

耗散功率 67 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 996pF @400VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 67W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPL65R230C7AUMA1
型号: IPL65R230C7AUMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.204 ohm, 10 V, 3.5 V

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