IPA65R650CEXKSA1

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IPA65R650CEXKSA1概述

TO-220 整包

通孔 N 通道 650 V 7A(Tc) 28W(Tc)


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220


欧时:
Infineon MOSFET IPA65R650CE


立创商城:
N沟道 650V 7A


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3


IPA65R650CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 650 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 28 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPA65R650CEXKSA1
型号: IPA65R650CEXKSA1
描述:TO-220 整包

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