Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD60R3K3C6
立创商城:
N沟道 600V 1.7A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.97 Ω
极性 N-CH
耗散功率 18.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.7A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 93pF @100VVds
额定功率Max 18.1 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 18.1W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R3K3C6 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R3K3C6ATMA1和IPD60R3K3C6的区别 |