IPL60R650P6SATMA1 编带
表面贴装型 N 通道 600 V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
艾睿:
IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 5-Pin TPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
额定功率 56.8 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 56.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6.7A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 557pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 56.8W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 ThinPAK-56-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 ThinPAK-56-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅