DPAK N-CH 60V 100A
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 10400pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD100N06S403ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD100N06S403ATMA2 英飞凌 | 类似代替 | IPD100N06S403ATMA1和IPD100N06S403ATMA2的区别 |