INFINEON IRFR220NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V
是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 低栅极-漏极电荷, 以降低开关损耗。适用于高频DC-DC转换器。
SP001577980
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
立创商城:
N沟道 200V 5A
欧时:
INFINEON MOSFET IRFR220NTRPBF
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IRFR220NTRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 200V 5A 600mOhm TO252 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
额定功率 43 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 N-CH
耗散功率 43 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 43 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 43W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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