IRFR3709ZTRLPBF

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IRFR3709ZTRLPBF概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 30 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.8 V

Benefits:

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RoHS Compliant
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Industry-leading quality
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Low RDSON at 4.5V VGS
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Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
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Ultra-Low Gate Impedance

得捷:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK


欧时:
Infineon MOSFET IRFR3709ZTRLPBF


立创商城:
IRFR3709ZTRLPBF


贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC


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Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK


IRFR3709ZTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电流 86.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 86A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2330pF @15VVds

下降时间 3.9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IRFR3709ZTRLPBF
型号: IRFR3709ZTRLPBF
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 30 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.8 V
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