Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD050N03LGBTMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD050N03LGBTMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
极性 N-CH
耗散功率 68W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 3200pF @15VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅