INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
P 通道功率 MOSFET 30V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 0.54 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 540 mW
阈值电压 1 V
输入电容 75 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.76A
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 75pF @25VVds
额定功率Max 540 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Portable Devices, Load Switch, Computers & Computer Peripherals, DC Switches, 计算机和计算机周边, 便携式器材, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLML5103TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML5103GTRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRLML5103TRPBF和IRLML5103GTRPBF的区别 |
IRLML5103TR 英飞凌 | 类似代替 | IRLML5103TRPBF和IRLML5103TR的区别 |
NDS352AP 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRLML5103TRPBF和NDS352AP的区别 |