Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
欧时:
Infineon MOSFET IPD30N06S2L-23
立创商城:
N沟道 55V 30A
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 15.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1091pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Valves control, Single-ended motors, Solenoids control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N06S2L23ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N06S2L23ATMA3和IPD30N06S2L23ATMA1的区别 |