INFINEON IPB027N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3GATMA1, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
额定功率 300 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.7 V
输入电容 11100 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 11100pF @50VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datac, Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Power Management, Power Management, Audio, , Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
