IPD60R385CPBTMA1

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IPD60R385CPBTMA1概述

DPAK N-CH 600V 9A

表面贴装型 N 通道 650 V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD60R385CPBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9A

输入电容Ciss 790pF @100VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R385CPBTMA1
型号: IPD60R385CPBTMA1
描述:DPAK N-CH 600V 9A
替代型号IPD60R385CPBTMA1
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