INFINEON IRFH7085TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
立创商城:
IRFH7085TRPBF
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
欧时:
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, QFN, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
富昌:
单 N-沟道 60 V 3.2 mOhm 110 nC 表面贴装 Hexfet 功率 Mosfet - PQFN 5x6
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V
儒卓力:
**N-CH 60V 147A 2,6mOhm PQFN5X6 **
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 3.7 V
输入电容 6460 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 6460pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 QFN-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 0.85 mm
封装 QFN-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99