IRFH7085TRPBF

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IRFH7085TRPBF概述

INFINEON  IRFH7085TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


立创商城:
IRFH7085TRPBF


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN


欧时:
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, QFN, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R


富昌:
单 N-沟道 60 V 3.2 mOhm 110 nC 表面贴装 Hexfet 功率 Mosfet - PQFN 5x6


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V


儒卓力:
**N-CH 60V 147A 2,6mOhm PQFN5X6 **


IRFH7085TRPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 3.7 V

输入电容 6460 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 6460pF @25VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 QFN-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 0.85 mm

封装 QFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFH7085TRPBF
型号: IRFH7085TRPBF
描述:INFINEON  IRFH7085TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V

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