晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
额定功率 375 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 375 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 16900pF @40VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅