IPI040N06N3GHKSA1

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IPI040N06N3GHKSA1概述

TO-262 N-CH 60V 90A

通孔 N 通道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3


贸泽:
MOSFET MV POWER MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI040N06N3GHKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 188W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 11000pF @30VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI040N06N3GHKSA1
型号: IPI040N06N3GHKSA1
描述:TO-262 N-CH 60V 90A
替代型号IPI040N06N3GHKSA1
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