INFINEON IPD60R2K0C6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 600 V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 2.4A DPAK-2 CoolMOS C6
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 22.3W; PG-TO252-3
额定功率 22.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-CH
耗散功率 22.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 22.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
制造应用 工业, Consumer Electronics, 车用, Communications & Networking, 消费电子产品, 电源管理, 替代能源, Automotive, 照明, Lighting, Power Management, 通信与网络, Alternative Energy, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD60R2K0C6BTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R2K0C6ATMA1 英飞凌 | 完全替代 | IPD60R2K0C6BTMA1和IPD60R2K0C6ATMA1的区别 |