IS43DR16640B-25EBL

IS43DR16640B-25EBL概述

1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
DRAM 1G 64Mx16 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16640B-25EBL中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 2.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16640B-25EBL
型号: IS43DR16640B-25EBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS
替代型号IS43DR16640B-25EBL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43DR16640B-25EBL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS43DR16640B-25EBLI

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS43DR16640B-25EBL和IS43DR16640B-25EBLI的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司