DPAK N-CH 30V 40A
表面贴装型 N 通道 30 V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD090N03LGBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD090N03LGATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD090N03LGBTMA1和IPD090N03LGATMA1的区别 |