IPB080N06N G概述
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3Pin2+Tab TO-263
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab TO-263
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB080N06N G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 214 W
输入电容 3.50 nF
栅电荷 93.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3500pF @30VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPB080N06N G