650V的CoolMOS C6 CFD功率晶体管 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 104.2 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 104.2 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 104.2W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free