Mosfet n-Ch 600V To-251
通孔 N 通道 600 V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
贸泽:
MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V TO-251
耗散功率 22.3W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
额定功率Max 22.3 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 22.3W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPU60R2K0C6AKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU60R2K0C6BKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU60R2K0C6AKMA1和IPU60R2K0C6BKMA1的区别 |