单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP086N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
IPP086N10N3GXKSA1
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
额定功率 125 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.7 V
输入电容 2990 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3980pF @50VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free