IPA65R099C6XKSA1

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IPA65R099C6XKSA1概述

PG-TO220 整包

通孔 N 通道 650 V 38A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220 整包


得捷:
MOSFET N-CH 650V 38A TO220


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 115A TO220FP-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 38A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 35W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 38A TO220 / N-Channel 650 V 38A Tc 35W Tc Through Hole PG-TO220-3-111


IPA65R099C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 35 W

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 38A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2780pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPA65R099C6XKSA1
描述:PG-TO220 整包

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