SOIC P-CH 30V 11A
P-Channel 30V 11A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
贸泽:
MOSFET MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 4030pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 76 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅