INFINEON IPP65R225C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
通孔 N 通道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO220-3
欧时:
Infineon IPP65R225C7XKSA1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP65R225C7XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
额定功率 63 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.199 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 996pF @400VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17