IKW50N65H5FKSA1

INFINEON  IKW50N65H5FKSA1  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

欧时:
Infineon IKW50N65H5FKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; TRENCHSTOP™ 5

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3