IRG8P15N120KD-EPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG8P15N120KD-EPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 125000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT - 1200 V 30 A 125 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 30A TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247AD Tube

IRG8P15N120KD-EPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG8P15N120KD-EPBF

型号： IRG8P15N120KD-EPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 125000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube