Direct-FET N-CH 20V 16A
表面贴装型 N 通道 20 V 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST
得捷:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
通道数 1
漏源极电阻 5.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1360pF @10VVds
额定功率Max 1.4 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-ST
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-ST
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6623 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6623TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6623和IRF6623TRPBF的区别 |
IRF6623TR1 英飞凌 | 功能相似 | IRF6623和IRF6623TR1的区别 |