IPD78CN10NGATMA1

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IPD78CN10NGATMA1概述

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 100V 13A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 31W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3


IPD78CN10NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 31 W

通道数 1

漏源极电阻 0.059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 3 V

输入电容 538 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 716pF @50VVds

额定功率Max 31 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPD78CN10NGATMA1
型号: IPD78CN10NGATMA1
描述:Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
替代型号IPD78CN10NGATMA1
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