Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 100V 13A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 31W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
额定功率 31 W
通道数 1
漏源极电阻 0.059 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 3 V
输入电容 538 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 716pF @50VVds
额定功率Max 31 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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