IKW03N120H2FKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IKW03N120H2FKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
DISCRETE IGBT WITH DIODE

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin3+Tab TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin3+Tab TO-247

IKW03N120H2FKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62500 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKW03N120H2FKSA1

型号： IKW03N120H2FKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube