INFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V
N 通道功率 MOSFET，30V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 110 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.7A
上升时间 3.3 ns
输入电容Ciss 110pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Protection, 电源管理, Load Switch Low Side, Load Switch, Power Management, Load Switch High Side, DC Switches
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLML2030TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML0030TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRLML2030TRPBF和IRLML0030TRPBF的区别 |
NTR4503NT1G 安森美 | 功能相似 | IRLML2030TRPBF和NTR4503NT1G的区别 |
MGSF1N03LT1G 安森美 | 功能相似 | IRLML2030TRPBF和MGSF1N03LT1G的区别 |