INFINEON IPT020N10N3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPT020N10N3ATMA1, 300 A, Vds=100 V, 8引脚 HSOF封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 8-Pin HSOF T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; 375W; PG-HSOF-8-1
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V
额定功率 375 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 300A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 11200pF @50VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-HSOF-8-1
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
高度 2.4 mm
封装 PG-HSOF-8-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 , Point-of-load POL, 车用, 通信与网络, Lighting, 电源管理, 照明, Telecom, Power Management, Communications & Networking, Lighting, , Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPT020N10N3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPT015N10N5ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | IPT020N10N3ATMA1和IPT015N10N5ATMA1的区别 |
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