IPB03N03LB G概述
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin2+Tab TO-263
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab TO-263
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
IPB03N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 150W Tc
输入电容 7.62 nF
栅电荷 59.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 7624pF @15VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPB03N03LB G
替代型号IPB03N03LB G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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