IRGR4607DTRLPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRGR4607DTRLPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D-Pak

得捷:
IGBT 600V 11A 58W DPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin DPAK T/R

IRGR4607DTRLPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 58000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 48 ns

额定功率Max 58 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 58000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGR4607DTRLPBF

型号： IRGR4607DTRLPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

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