IPI80N04S3H4AKSA1概述
TO-262 N-CH 40V 80A
通孔 N 通道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
IPI80N04S3H4AKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 115W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
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